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西安皓悦的学术团队在微电子领域取得了新的进
发布于:2019-05-03 02:22 点击量:   打印本页 || 关闭窗口
陆洋博士报告了新的低欧姆电阻接触技术的结果
后遗症时代新装置技术研究进展
“后摩尔时代的新装置技术”是近年来郝月学者推动的新研究方向。
采用新的器件结构是继续摩尔定律的必然选择,因为CMOS技术部分正在逐渐减少。
因此,后摩尔时代的新器件将影响和决定微电子器件技术和集成电路产业的未来发展。
随着集成电路技术在纳米级发展,现有的半导体器件将受到短沟道效应,高漏电流和低于60mV / dec阈值的振荡的影响。
为了解决这些问题,期望基于高移动性铁电材料的新型器件,例如场效应晶体管(TFET)和负电容MOSFET器件。
周久文博士发表了四篇关于IEEE电子设备快报的学术论文。这已经系统地验证了电容对铁电MOSFET器件的不利影响,以及负电容对器件电流和低于阈值的幅度的影响。
Xiaoling博士Xiaoling博士提出了一种具有高性能栅极(DL-TFET)调制的非传统TFET器件,并根据双极特性,无功状态电流和开关比系统地分析了器件特性。而且挥杆低于门槛。
此外,学术郝悦还在光电探测器,新材料和二维器件领域发表了多篇高水平的学术论文。
周久仁博士报道了负电容晶体管的制造工艺和结构
根据学术界郝悦决定的团队“Firstand /或Best”(Firstand /或Best),该团队指向微电子的国际学术前沿和中央微电子技术的主战场。该团队表示,“经过一个大项目,一个伟大的团队,超过20年的努力,伟大的平台发展和伟大的成就,中国已经使中国成为新的微电子设备领域的重要地位。”它也使我们学校在国际微电子领域发挥了重要作用。
文章来源“西电新闻网”
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